Kristal AgGaSe2 — Tepi Jalur Pada 0.73 Dan 18 µm
Penerangan Produk
Penalaan dalam 2.5–12 µm telah diperolehi apabila mengepam oleh laser Ho:YLF pada 2.05 µm;serta operasi pemadanan fasa tidak kritikal (NCPM) dalam 1.9–5.5 µm apabila mengepam pada 1.4–1.55 µm.AgGaSe2 (AgGaSe) telah ditunjukkan sebagai kristal penggandaan frekuensi yang cekap untuk sinaran laser CO2 inframerah.
Dengan bekerja dalam kombinasi dengan pengayun parametrik optik yang dipam segerak (SPOPO) yang tersedia secara komersil dalam rejim femtosaat dan picosaat, kristal AgGaSe2 telah terbukti berkesan dalam penukaran bawah parametrik tak linear (penjanaan frekuensi perbezaan, DGF) di rantau Mid-IR.Kristal AgGaSe2 tak linear pertengahan IR mempunyai salah satu angka merit terbesar (70 pm2/V2) di kalangan kristal yang boleh diakses secara komersial, iaitu enam kali lebih banyak daripada setara AGS.AgGaSe2 juga lebih baik daripada kristal IR pertengahan lain untuk beberapa sebab tertentu.AgGaSe2, sebagai contoh, mempunyai jarak ruang yang lebih rendah dan kurang tersedia untuk dirawat untuk aplikasi tertentu (contohnya arah pertumbuhan dan potong), walaupun mempunyai ketaklinieran yang lebih besar dan kawasan ketelusan yang setara.
Aplikasi
● Menjana harmonik kedua pada CO dan CO2 - laser
● Pengayun parametrik optik
● Penjana frekuensi berbeza ke kawasan inframerah tengah sehingga 17 mkm.
● Pencampuran kekerapan di kawasan IR tengah
Sifat Asas
| Struktur Kristal | Tetragonal |
| Parameter Sel | a=5.992 Å, c=10.886 Å |
| Takat lebur | 851 °C |
| Ketumpatan | 5.700 g/cm3 |
| Kekerasan Mohs | 3-3.5 |
| Pekali Penyerapan | <0.05 cm-1 @ 1.064 µm <0.02 cm-1 @ 10.6 µm |
| Pemalar Dielektrik Relatif @ 25 MHz | ε11s=10.5 ε11t=12.0 |
| Pengembangan Terma Pekali | ||C: -8.1 x 10-6 /°C ⊥C: +19.8 x 10-6 /°C |
| Kekonduksian terma | 1.0 W/M/°C |
